对比图
型号 IDH04S60CAKSA1 SDT04S60 IDH04G65C5XKSA1
描述 IDH04S60C 系列 600 V 4 A 第2代 thinQ!™ SiC 肖特基 二极管-PG-TO-220-2碳化硅肖特基二极管 Silicon Carbide Schottky DiodeINFINEON IDH04G65C5XKSA1 二极管, 碳化硅肖特基, thinQ 5G 650V系列, 单, 650 V, 4 A, 7 nC, TO-220
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 二极管TVS二极管肖特基二极管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 2 2 2
封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
额定电压(DC) - 600 V -
额定电流 - 4.00 A -
正向电压 1.9V @4A 1.9V @4A 1.7V @4A
反向恢复时间 0 ns 0 ns 0 ns
正向电流 4000 mA 4 A 4 A
最大正向浪涌电流（Ifsm） - 12.5 A 38 A
正向电压(Max) - 1.9V @4A -
正向电流(Max) 4000 mA 4 A -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
工作结温(Max) - 175 ℃ 175 ℃
耗散功率(Max) 42000 mW 36500 mW -
额定功率 - - 48 W
负载电流 - - 4 A
长度 - 9.9 mm -
宽度 - 4.4 mm -
高度 - 9.2 mm -
封装 TO-220-2 TO-220-2 TO-220-2
工作温度 - 55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Obsolete Obsolete Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tube Tube Each
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC Contains SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 - 2014/12/17 2015/12/17