对比图
型号 IRFU120A IRFU120ATU
描述 先进的功率MOSFET Advanced Power MOSFETN沟道 100V 8.4A
数据手册 --
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole
封装 IPAK TO-251-3
极性 N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 8.4A 8.40 A
额定电压(DC) - 100 V
额定电流 - 8.40 A
漏源极电阻 - 200 mΩ
耗散功率 - 2.5W (Ta), 32W (Tc)
漏源击穿电压 - 30.0 V
栅源击穿电压 - ±20.0 V
输入电容(Ciss) - 480pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 2.5 W
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta), 32W (Tc)
封装 IPAK TO-251-3
产品生命周期 Obsolete Unknown
包装方式 - Tube
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
RoHS标准 - RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free
ECCN代码 - EAR99