对比图
型号 IRF640NSTRRPBF STB19NF20 IRF640SPBF
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 18A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RSTB19NF20 系列 200 V 0.16 Ohm 表面贴装 N 沟道 功率 MOSFET - D2PAK功率MOSFET Power MOSFET
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) VISHAY (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
额定电压(DC) 200 V - -
额定电流 18.0 A - -
极性 N-Channel - N-Channel
耗散功率 150 W 90 W 130 W
产品系列 IRF640NS - -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V
连续漏极电流(Ids) 110 A, 18.0 A - 18.0 A
上升时间 19.0 ns 22 ns 51 ns
输入电容(Ciss) 1160pF @25V(Vds) 800pF @25V(Vds) 1300pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 150 W 90 W 130 W
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.18 Ω
阈值电压 - - 4 V
下降时间 - 11 ns 36 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 90W (Tc) 130 W
通道数 - 1 -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
长度 - 10.75 mm 10.67 mm
宽度 - 10.4 mm 9.65 mm
高度 - 4.6 mm 4.83 mm
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube
最小包装 - - 2000
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -