对比图
型号 NDF05N50ZG SIHF5N50D-E3 NDF05N50ZH
描述 ON SEMICONDUCTOR NDF05N50ZG 场效应管, MOSFET, N沟道, 500V 5A TO-220VISHAY SIHF5N50D-E3 晶体管, MOSFET, N沟道, 5.3 A, 500 V, 1.2 ohm, 10 V, 3 V功率MOSFET,500V,5A,1.5Ω,单N沟道
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) Vishay Semiconductor (威世) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
通道数 - - 1
漏源极电阻 1.25 Ω 1.2 Ω 1.5 Ω
耗散功率 28 W 30 W 30 W
阈值电压 4.5 V 3 V 3.9 V
漏源极电压(Vds) 500 V 500 V 500 V
漏源击穿电压 - - 500 V
上升时间 15 ns 11 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 632pF @25V(Vds) 325pF @100V(Vds) 632pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 30 W - 30 W
下降时间 14 ns 11 ns 14 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 30W (Tc) 30 W 30W (Tc)
针脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel -
连续漏极电流(Ids) 5.00 A - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.63 mm 10.63 mm -
宽度 4.9 mm 4.83 mm -
高度 16.12 mm 9.8 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active - Active
包装方式 Tube Bulk Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free - Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -