IRFR3709ZPBF和IRFR3709ZTRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRFR3709ZPBF IRFR3709ZTRPBF IRFR3709Z

描述 MOSFET 晶体管,Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。N沟道,30V,86A,8.2mΩ@4.5VDPAK N-CH 30V 86A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

额定功率 79 W 79 W -

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 0.0065 Ω 0.0052 Ω -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 79 W 79 W 79W (Tc)

阈值电压 1.8 V 1.8 V -

漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V

连续漏极电流(Ids) 86A 86A 86.0 A

上升时间 12 ns 12 ns 12.0 ns

输入电容(Ciss) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds) 2330pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 79 W 79 W -

下降时间 3.9 ns 3.9 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 79W (Tc) 79W (Tc) 79W (Tc)

额定电压(DC) - - 30.0 V

额定电流 - - 86.0 A

产品系列 - - IRFR3709Z

漏源击穿电压 - - 30.0 V

长度 6.73 mm 6.5 mm -

宽度 6.22 mm 6.22 mm -

高度 2.39 mm 2.3 mm -

封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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