AOD11S60和TK12E60U

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 AOD11S60 TK12E60U NDD60N360U1-35G

描述 DPAK N-CH 600V 11ATOSHIBA TK12E60U Power MOSFET, N Channel, 12A, 600V, 0.4Ω, 10V, 3V600V,11A,360mΩ,单N沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Alpha & Omega Semiconductor (万代半导体) Toshiba (东芝) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount - Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-252-3 TO-220 TO-251-3

极性 N-CH N-Channel N-CH

耗散功率 208 W 144 W 114W (Tc)

漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V

连续漏极电流(Ids) 11A - 11A

上升时间 20 ns - -

输入电容(Ciss) 545pF @100V(Vds) - 790pF @50V(Vds)

额定功率(Max) 208 W - -

下降时间 20 ns - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -55 ℃

耗散功率(Max) 208W (Tc) - 114W (Tc)

漏源极电阻 - 0.4 Ω -

阈值电压 - 3 V -

无卤素状态 - - Halogen Free

封装 TO-252-3 TO-220 TO-251-3

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended Not Recommended Active

包装方式 Tape & Reel (TR) - Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free - Lead Free

香港进出口证 - NLR -

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