BC558BBU和BC558BRL1G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BC558BBU BC558BRL1G BC558B

描述 Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3Pin TO-92 Bulk放大器晶体管PNP硅 Amplifier Transistors PNP SiliconTransistor: PNP; bipolar; 30V; 100mA; 0.5W(1/2W); TO92

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美) Diotec Semiconductor

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - - 3

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92

频率 - - 150 MHz

额定功率 - - 500 mW

耗散功率 0.5 W 625 mW 500 mW

增益频宽积 150 MHz 360 MHz 150 MHz

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) 65 ℃ 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - - 500 mW

额定电压(DC) -30.0 V -30.0 V -

额定电流 -100 mA -100 mA -

极性 PNP PNP -

击穿电压(集电极-发射极) 30 V 30 V -

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A -

最小电流放大倍数(hFE) 200 @2mA, 5V 180 @2mA, 5V -

额定功率(Max) 500 mW 625 mW -

封装 TO-226-3 TO-92-3 TO-92

长度 5.2 mm 5.2 mm -

宽度 4.19 mm 4.19 mm -

高度 5.33 mm 5.33 mm -

材质 - - Silicon

工作温度 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Bulk Tape & Reel (TR) Ammo Pack

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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