IXFH58N20Q和STD6N95K5

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IXFH58N20Q STD6N95K5 SPP04N80C3

描述 TO-247AD N-CH 200V 58ASTMICROELECTRONICS  STD6N95K5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 9 A, 950 V, 1 ohm, 10 V, 4 VInfineon CoolMOS™C3 功率 MOSFET

数据手册 ---

制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-247-3 TO-252-3 TO-220-3

针脚数 - 3 3

漏源极电阻 40.0 mΩ 1 Ω 1.1 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 300 W 90 W 63 W

阈值电压 - 4 V 3 V

输入电容 - 450 pF -

漏源极电压(Vds) 200 V 950 V 800 V

连续漏极电流(Ids) 58.0 A 9A 4.00 A

上升时间 40 ns 12 ns 15 ns

输入电容(Ciss) 3600pF @25V(Vds) 450pF @100V(Vds) 570pF @100V(Vds)

额定功率(Max) - 90 W 63 W

下降时间 13 ns 21 ns 12 ns

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 300W (Tc) 90W (Tc) 63W (Tc)

额定电压(DC) 200 V - 800 V

额定电流 58.0 A - 4.00 A

额定功率 - - 63 W

通道数 - - 1

漏源击穿电压 - - 800 V

封装 TO-247-3 TO-252-3 TO-220-3

长度 16.26 mm - 10 mm

宽度 5.3 mm - 4.4 mm

高度 21.46 mm - 15.65 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Obsolete

包装方式 Tube Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 -

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