SM8S30AHE3_A/I和SM8S30HE3/2D

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 SM8S30AHE3_A/I SM8S30HE3/2D

描述 ESD 抑制器/TVS 二极管 8W,30V 5%,SMD PAR AEC-Q101 QualifiedESD 抑制器/TVS 二极管 RECOMMENDED ALT 78-SM8S30AHE3_A/I

数据手册 --

制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)

分类 电流滤波器件TVS二极管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount

封装 DO-218AB-2 DO-218AB-2

工作电压 30 V 30 V

击穿电压 36.8 V 33.3 V

耗散功率 8 W -

钳位电压 48.4 V 53.5 V

脉冲峰值功率 6600 W 6600 W

最小反向击穿电压 33.3 V 33.3 V

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃

封装 DO-218AB-2 DO-218AB-2

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Obsolete

包装方式 - Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free

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