对比图
型号 IPB13N03LB PA02 RJK03M6DPA-00-J5A
描述 OptiMOS®2功率三极管 OptiMOS㈢2 Power-Transistor30A, 30V, 0.0127ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN AND LEAD FREE, WPAK(2), 8 PIN30V ， 30A ， 9.4米最大。 N沟道功率MOS FET高速电源开关 30V, 30A, 9.4m max. N Channel Power MOS FET High Speed Power Switching
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Renesas Electronics (瑞萨电子) Renesas Electronics (瑞萨电子)
分类 MOS管
安装方式 Surface Mount - -
封装 TO-263-3 - -
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 30.0 A - -
极性 N-CH - -
耗散功率 52W (Tc) - -
输入电容 1.35 nF - -
栅电荷 11.0 nC - -
漏源极电压(Vds) 30 V - -
连续漏极电流(Ids) 30.0 A - -
输入电容(Ciss) 1355pF @15V(Vds) - -
耗散功率(Max) 52W (Tc) - -
封装 TO-263-3 - -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) - -
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Obsolete Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) - -
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead - Lead Free