对比图
型号 AUIRFS3206 IRFS3206TRRPBF SUM110N06-3M4L-E3
描述 INFINEON AUIRFS3206 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2 VHEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon (IR)Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。N 通道 MOSFET，60V 至 90V，Vishay Semiconductor### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.0024 Ω 0.0024 Ω 0.0028 Ω
极性 N-CH N-Channel N-Channel
耗散功率 300 W 300 W 375 W
阈值电压 2 V 4 V 1 V
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 210A 210A 110 A
上升时间 82 ns 82 ns -
输入电容(Ciss) 6540pF @50V(Vds) 6540pF @50V(Vds) 12900pF @25V(Vds)
下降时间 83 ns 83 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 3.7 W
额定功率 - 300 W -
输入电容 - 6540 pF -
额定功率(Max) - 300 W -
长度 10.67 mm 10.67 mm 10.41 mm
宽度 9.65 mm 9.65 mm 9.65 mm
高度 4.83 mm 4.83 mm 4.83 mm
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263
材质 Silicon Silicon -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active -
包装方式 Rail, Tube Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17 - 2015/06/15
REACH SVHC标准 - - No SVHC