L6392DTR和L6393D

对比图

型号 L6392DTR L6393D L6392D

描述 半桥 IGBT MOSFET 灌:290mA 拉:430mASTMICROELECTRONICS  L6393D  驱动器, IGBT, MOSFET, 半桥, 10V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14STMICROELECTRONICS  L6392D  驱动器, IGBT, MOSFET, 高压侧和低压侧, 12.5V-20V电源, 430mA输出, 125ns延迟, SOIC-14

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 FET驱动器FET驱动器FET驱动器

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 14 14 14

封装 SO-14 SOIC-14 SOIC-14

频率 - 0.8 MHz 0.8 MHz

电源电压(DC) - 10.0V (min) 12.5V (min)

上升/下降时间 75ns, 35ns 75ns, 35ns 75ns, 35ns

输出接口数 1 1 2

输出电压 - 580 V -

针脚数 - 14 14

耗散功率 800 mW 800 mW 0.8 W

上升时间 - 75 ns 120 ns

下降时间 - 35 ns 70 ns

下降时间(Max) 70 ns 70 ns 70 ns

上升时间(Max) 120 ns 120 ns 120 ns

工作温度(Max) 125 ℃ 125 ℃ 125 ℃

工作温度(Min) -40 ℃ -40 ℃ -40 ℃

耗散功率(Max) 800 mW 800 mW 800 mW

电源电压 12.5V ~ 20V 10V ~ 20V 12.5V ~ 20V

电源电压(Max) - 20 V 20 V

电源电压(Min) - 10 V 12.5 V

长度 - 8.75 mm 8.75 mm

宽度 - 4 mm 4 mm

高度 - 1.65 mm 1.65 mm

封装 SO-14 SOIC-14 SOIC-14

工作温度 -40℃ ~ 125℃ (TJ) -40℃ ~ 125℃ -40℃ ~ 125℃

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Each Each

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99