对比图
型号 IRF7831 IRF7831PBF IRF7831TRPBF
描述 SOIC N-CH 30V 21AINFINEON IRF7831PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 30 V, 3.6 mohm, 10 V, 2.35 VINFINEON IRF7831TRPBF 场效应管, MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V - -
额定电流 21.0 A - -
漏源极电阻 3.10 mΩ 0.0036 Ω 4.4 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 2.50 W 2.5 W 2.5 W
产品系列 IRF7831 - -
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0V (min) - 30 V
连续漏极电流(Ids) 21.0 A 21A 21A
上升时间 10.0 ns 10 ns 10 ns
额定功率 - 2.5 W 2.5 W
通道数 - - 1
针脚数 - 8 8
阈值电压 - 2.35 V 2.35 V
输入电容 - - 6240 pF
输入电容(Ciss) - 6240pF @15V(Vds) 6240pF @15V(Vds)
额定功率(Max) - - 2.5 W
下降时间 - 5.3 ns 5.3 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2.5W (Ta) 2.5W (Ta)
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - - 4.9 mm
宽度 - - 3.9 mm
高度 - - 1.75 mm
产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99 -