STB6N52K3和STD6N62K3

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 STB6N52K3 STD6N62K3 FQB6N70TM

描述 525V,1Ω,5A,N沟道功率MOSFETSTMICROELECTRONICS  STD6N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 VN沟道 700V 6.2A

数据手册 ---

制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

引脚数 - 3 -

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 70W (Tc) 90 W 3.13 W

漏源极电压(Vds) 525 V 620 V 700 V

连续漏极电流(Ids) 5A 5.5A 6.20 A

输入电容(Ciss) 670pF @50V(Vds) 706pF @50V(Vds) 1400pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 70 W 90 W 3.13 W

耗散功率(Max) 70W (Tc) 90W (Tc) 3.13W (Ta), 142W (Tc)

额定电压(DC) - - 700 V

额定电流 - - 6.20 A

通道数 - - 1

漏源极电阻 - 0.95 Ω 1.16 Ω

漏源击穿电压 - - 700 V

栅源击穿电压 - - ±30.0 V

上升时间 - 12 ns 70 ns

下降时间 - 20 ns 50 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ 55 ℃

针脚数 - 3 -

阈值电压 - 3.75 V -

输入电容 - 875 pF -

封装 TO-263-3 TO-252-3 TO-263-3

长度 - 6.6 mm 10.67 mm

宽度 - 6.2 mm 9.65 mm

高度 - 2.4 mm 4.83 mm

工作温度 150℃ (TJ) 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台