STD6N62K3

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STD6N62K3概述

STMICROELECTRONICS  STD6N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics


立创商城:
N沟道 620V 5.5A


得捷:
MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD6N62K3, 5.5 A, Vds=620 V, 3引脚


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
This STD6N62K3 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 90000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This device utilizes supermesh 3 technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 620V 5.5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STD6N62K3  MOSFET Transistor, N Channel, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V


力源芯城:
620V,0.95Ω,5.5A,N沟道功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK


Win Source:
MOSFET N-CH 620V 5.5A DPAK


STD6N62K3中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.95 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 875 pF

漏源极电压Vds 620 V

连续漏极电流Ids 5.5A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 706pF @50VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STD6N62K3
型号: STD6N62K3
描述:STMICROELECTRONICS  STD6N62K3  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 620 V, 0.95 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STD6N62K3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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