SPN01N60C3和SPN01N60S5

对比图

型号 SPN01N60C3 SPN01N60S5 STS1NC60

描述 新的革命高电压技术，超低栅极电荷至尊的dv / dt评分 New revolutionary high voltage technology Ultra low gate charge Extreme dv/dt rated酷MOS功率三极管 Cool MOS Power-TransistorN沟道600V - 12ohm - 0.3A - SO- 8 MOSFET PowerMESH⑩II N-CHANNEL 600V - 12ohm - 0.3A - SO-8 PowerMESH⑩II MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-223-4 SOT-223 SOIC-8

额定电压(DC) 650 V - -

额定电流 300 mA - -

极性 N-Channel N-CH -

耗散功率 1.8 W - 2.5 W

输入电容 100 pF - -

栅电荷 5.00 nC - -

漏源极电压(Vds) 650 V 600 V -

连续漏极电流(Ids) 300 mA 0.3A -

上升时间 30 ns - 8 ns

输入电容(Ciss) 100pF @25V(Vds) - -

下降时间 30 ns - 11 ns

工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ - -60 ℃

耗散功率(Max) 1.8W (Ta) - -

长度 6.5 mm - -

宽度 3.5 mm - -

高度 1.6 mm - -

封装 SOT-223-4 SOT-223 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -

产品生命周期 Obsolete Obsolete Unknown

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead - -