对比图
描述 N沟道600V - 10A - D2PAK / TO- 220 / DPAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 600V - 10A - D2PAK / TO-220 / DPAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBTSTMICROELECTRONICS STGP10NC60KD 单晶体管, IGBT, 20 A, 2.5 V, 60 W, 600 V, TO-220, 3 引脚
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole
引脚数 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 600 V 600 V
额定电流 20.0 A 20.0 A
耗散功率 60000 mW 60 W
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V
额定功率(Max) 60 W 65 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60000 mW 60000 mW
针脚数 - 3
极性 - N-Channel
上升时间 - 6.00 ns
反向恢复时间 - 22 ns
高度 9.15 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10.4 mm
宽度 - 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
ECCN代码 - EAR99