对比图
型号 BSC060N10NS3GATMA1 BSC070N10NS3GATMA1 IRFH5010TRPBF
描述 INFINEON BSC060N10NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 VINFINEON BSC070N10NS3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 90 A, 100 V, 0.0063 ohm, 10 V, 2.7 VINFINEON IRFH5010TRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 100 V, 0.0075 ohm, 10 V, 4 V 新
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8
额定功率 125 W 114 W 250 W
针脚数 8 8 8
漏源极电阻 0.0053 Ω 0.0063 Ω 0.0075 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 114 W 3.6 W
阈值电压 2.7 V 2.7 V 2 V
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 14.9A 90A 100 A
上升时间 16 ns 10 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 3700pF @50V(Vds) 4000pF @50V(Vds) 4340pF @25V(Vds)
下降时间 12 ns 8 ns 8.6 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 125W (Tc) 114W (Tc) 3.6W (Ta), 250W (Tc)
产品系列 - - IRFH5010
输入电容 - - 4340 pF
长度 5.35 mm 6.1 mm 6 mm
宽度 6.1 mm 5.35 mm 5 mm
高度 1.1 mm 1.1 mm 0.85 mm
封装 PG-TDSON-8 PG-TDSON-8 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/12/17