对比图
型号 BSC200P03LSG IRFHM9391TRPBF BSZ120P03NS3G
描述 的OptiMOS ™ -P功率三极管 OptiMOS™-P Power-TransistorINFINEON IRFHM9391TRPBF 晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.01 ohm, -20 V, -1.8 V 新30V,-40A,P沟道功率MOSFET
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
封装 TDSON-8 Power-33 TSDSON EP
安装方式 - Surface Mount -
引脚数 - 8 -
封装 TDSON-8 Power-33 TSDSON EP
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.01 Ω -
极性 - P-Channel -
耗散功率 - 33 W -
阈值电压 - 1.8 V -
输入电容 - 1543 pF -
连续漏极电流(Ids) - 11A -
上升时间 - 27 ns -
输入电容(Ciss) - 1543pF @25V(Vds) -
下降时间 - 60 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 2.6W (Ta) -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
ECCN代码 - EAR99 -