BSC200P03LSG和IRFHM9391TRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BSC200P03LSG IRFHM9391TRPBF BSZ120P03NS3G

描述 的OptiMOS ™ -P功率三极管 OptiMOS™-P Power-TransistorINFINEON  IRFHM9391TRPBF  晶体管, MOSFET, P沟道, -11 A, -30 V, 0.01 ohm, -20 V, -1.8 V 新30V,-40A,P沟道功率MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

封装 TDSON-8 Power-33 TSDSON EP

安装方式 - Surface Mount -

引脚数 - 8 -

封装 TDSON-8 Power-33 TSDSON EP

产品生命周期 Obsolete Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

漏源极电压(Vds) - 30 V 30 V

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.01 Ω -

极性 - P-Channel -

耗散功率 - 33 W -

阈值电压 - 1.8 V -

输入电容 - 1543 pF -

连续漏极电流(Ids) - 11A -

上升时间 - 27 ns -

输入电容(Ciss) - 1543pF @25V(Vds) -

下降时间 - 60 ns -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 2.6W (Ta) -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -

ECCN代码 - EAR99 -

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