对比图
型号 FQA24N60 STP80NF10 2SK3906(Q)
描述 QFET® N 通道 MOSFET，11A 至 30A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 (PDP)、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 (RDS(on)) 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 (Qg) 和输出电容 (Coss) 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 (FOM)。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTOSHIBA 2SK3906(Q) Power MOSFET, N Channel, 20A, 600V, 330mohm, 10V, 4V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-3-3
额定电压(DC) 600 V 100 V -
额定电流 23.5 A 80.0 A -
额定功率 310 W 300 W -
通道数 - 1 1
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 240 mΩ 0.012 Ω 330 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 310 W 300 W 150 W
阈值电压 5 V 3 V 4 V
输入电容 - 5500 pF -
漏源极电压(Vds) 600 V 100 V 600 V
漏源击穿电压 600 V 100 V 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 23.5 A 80.0 A 20.0 A
上升时间 270 ns 80 ns 12 ns
输入电容(Ciss) 5500pF @25V(Vds) 5500pF @25V(Vds) 4250pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 310 W 300 W 150 W
下降时间 170 ns 60 ns 10 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ 55 ℃
耗散功率(Max) 310 W 300W (Tc) 150W (Tc)
长度 15.8 mm 10.4 mm 15.5 mm
宽度 5 mm 4.6 mm 4.5 mm
高度 18.9 mm 9.15 mm 20 mm
封装 TO-3-3 TO-220-3 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Obsolete
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 -