对比图
型号 FDP7030BL STP90NF03L IRLB8721PBF
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP7030BL 晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 30 V, 9 mohm, 10 V, 1.9 VN沟道30V - 0.0056ohm - 90A TO- 220 / I2PAK低栅电荷STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 30V - 0.0056ohm - 90A TO-220/I2PAK LOW GATE CHARGE STripFET⑩ POWER MOSFETINFINEON IRLB8721PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 31 A, 30 V, 0.0065 ohm, 10 V, 1.8 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V -
额定电流 60.0 A 90.0 A -
通道数 - 1 -
漏源极电阻 9 mΩ 6.5 mΩ 0.0065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 65 W 150 W 65 W
输入电容 1.76 nF 2700 pF 1077 pF
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
漏源击穿电压 30.0 V 30 V -
栅源击穿电压 ±20.0 V ±20.0 V -
连续漏极电流(Ids) 60.0 A 90.0 A 62A
上升时间 12 ns 200 ns 93 ns
输入电容(Ciss) 1760pF @15V(Vds) 2700pF @25V(Vds) 1077pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 60 W 150 W -
下降时间 19 ns 105 ns 17 ns
工作温度(Max) 175 ℃ 150 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 60W (Tc) 150W (Tc) 65W (Tc)
针脚数 3 - 3
阈值电压 1.9 V - 1.8 V
栅电荷 17.0 nC - -
额定功率 - - 65 W
长度 10.67 mm 10.4 mm 10.67 mm
宽度 4.83 mm 4.6 mm 4.83 mm
高度 9.4 mm 9.15 mm 9.02 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
工作温度 -65℃ ~ 175℃ (TJ) -65℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 -