BZV55-B2V4,115和PDZ2.4B,115

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZV55-B2V4,115 PDZ2.4B,115 BC847BVN

描述 NXP  BZV55-B2V4,115  单管二极管 齐纳, 2.4 V, 500 mW, SOD-80C, 2 %, 2 引脚, 200 °CNXP  PDZ2.4B,115  单管二极管 齐纳, 2.4 V, 400 mW, SOD-323, 2 %, 2 引脚, 150 °CNXP  BC847BVN  双极晶体管阵列, 通用, NPN, PNP, 45 V, 200 mW, 100 mA, 200 hFE, SOT-666

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 齐纳二极管齐纳二极管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 2 2 6

封装 SOD-80 SOD-323 SOT-666

针脚数 2 2 6

极性 - - NPN, PNP

耗散功率 500 mW 400 mW 200 mW

最小电流放大倍数(hFE) - - 200

直流电流增益(hFE) - - 200

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -65 ℃ -65 ℃

容差 ±2 % ±2 % -

正向电压 900mV @10mA 1.1V @100mA -

测试电流 5 mA 5 mA -

稳压值 2.4 V 2.4 V -

正向电压(Max) 900mV @10mA 1.1V @100mA -

额定功率(Max) 500 mW 400 mW -

耗散功率(Max) 500 mW 400 mW -

电源电压(DC) - 15.0 V -

输出电流 - 2.40 mA -

逻辑门个数 - 4 -

封装 SOD-80 SOD-323 SOT-666

长度 - 1.8 mm -

宽度 - 1.35 mm -

高度 - 1.05 mm -

工作温度 -65℃ ~ 200℃ -65℃ ~ 150℃ -65℃ ~ 150℃

温度系数 -1.6 mV/K -1.6 mV/℃ -

产品生命周期 Active Active Unknown

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/12/17

香港进出口证 - NLR -

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