对比图
型号 SI4465ADY-T1-E3 SI4465ADY-T1-GE3
描述 VISHAY SI4465ADY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 13.7 A, -8 V, 0.0075 ohm, -4.5 V, -0.45 VVISHAY SI4465ADY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 13.7A, SOIC
数据手册 --
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount -
引脚数 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8
针脚数 8 8
漏源极电阻 0.0075 Ω 0.016 Ω
极性 P-Channel P-Channel
耗散功率 3 W 6.5 W
漏源极电压(Vds) -8.00 V -8.00 V
连续漏极电流(Ids) -13.7 A 13.7 A
上升时间 170 ns 170 ns
下降时间 112 ns 112 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -
耗散功率(Max) 3000 mW -
长度 4.9 mm 4.9 mm
宽度 3.9 mm 3.9 mm
高度 1.5 mm 1.75 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free -
REACH SVHC标准 No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 -