对比图
型号 IRF644PBF STP17NF25 IRF644B_FP001
描述 功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP17NF25 晶体管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 250 V, 140 mohm, 10 V, 3 VFAIRCHILD SEMICONDUCTOR IRF644B_FP001 场效应管, MOSFET, N沟道, 250V, 14A
数据手册 ---
制造商 VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.28 Ω 140 mΩ 280 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 125 W 90 W 139 W
阈值电压 4 V 3 V 4 V
漏源极电压(Vds) 250 V 250 V 250 V
漏源击穿电压 250 V - -30.0 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 14.0 A 8.50 A 14.0 A
输入电容(Ciss) 1300pF @25V(Vds) 1000pF @25V(Vds) 1600pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 125 W 90 W 139 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
耗散功率(Max) 125 W 90W (Tc) 139W (Tc)
输入电容 - 1000 pF -
上升时间 24 ns 17.2 ns -
下降时间 49 ns 8.8 ns -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定电压(DC) 250 V - -
额定电流 14.0 A - -
额定功率 125 W - -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.41 mm 10.4 mm -
宽度 4.7 mm 4.6 mm -
高度 9.01 mm 15.75 mm -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
材质 Silicon - -
产品生命周期 Active Active Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube Tube Rail
最小包装 50 - -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
REACH SVHC标准 No SVHC - -
ECCN代码 EAR99 - EAR99