对比图
描述 SOIC N-CH 20V 7AINFINEON IRF7331PBF 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 VFDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
额定功率 - 2 W -
针脚数 - 8 -
漏源极电阻 - 0.03 Ω 0.013 Ω
极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel
耗散功率 - 2 W 1.6 W
阈值电压 - 1.2 V 1.8 V
漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V
连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7A 7.50 A
上升时间 22 ns 22 ns 5 ns
输入电容(Ciss) 1340pF @16V(Vds) 1340pF @16V(Vds) 1130pF @15V(Vds)
额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW
下降时间 50 ns 50 ns 7 ns
工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) - 2 W 1600 mW
额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V
额定电流 7.00 A - 7.50 A
产品系列 IRF7331 - -
漏源击穿电压 20.0 V - 20 V
通道数 - - 2
输入电容 - - 1.13 nF
栅电荷 - - 24.0 nC
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
长度 - 5 mm 4.9 mm
宽度 - 4 mm 3.9 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active Obsolete Active
包装方式 Tube Rail, Tube Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15
ECCN代码 - - EAR99