IRF7331和IRF7331PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF7331 IRF7331PBF FDS6911

描述 SOIC N-CH 20V 7AINFINEON  IRF7331PBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 7 A, 20 V, 30 mohm, 4.5 V, 1.2 VFDS6911 系列 20 V 13 mOhm 双 N沟道 逻辑电平 PowerTrench® MOSFET-SOIC-8

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

额定功率 - 2 W -

针脚数 - 8 -

漏源极电阻 - 0.03 Ω 0.013 Ω

极性 Dual N-Channel Dual N-Channel N-Channel

耗散功率 - 2 W 1.6 W

阈值电压 - 1.2 V 1.8 V

漏源极电压(Vds) 20 V 20 V 20 V

连续漏极电流(Ids) 7.00 A 7A 7.50 A

上升时间 22 ns 22 ns 5 ns

输入电容(Ciss) 1340pF @16V(Vds) 1340pF @16V(Vds) 1130pF @15V(Vds)

额定功率(Max) 2 W 2 W 900 mW

下降时间 50 ns 50 ns 7 ns

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 2 W 1600 mW

额定电压(DC) 20.0 V - 20.0 V

额定电流 7.00 A - 7.50 A

产品系列 IRF7331 - -

漏源击穿电压 20.0 V - 20 V

通道数 - - 2

输入电容 - - 1.13 nF

栅电荷 - - 24.0 nC

栅源击穿电压 - - ±20.0 V

长度 - 5 mm 4.9 mm

宽度 - 4 mm 3.9 mm

高度 - 1.5 mm 1.5 mm

封装 SO-8 SOIC-8 SOIC-8

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃

产品生命周期 Active Obsolete Active

包装方式 Tube Rail, Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台