对比图
型号 FDP120N10 STP120NF10 BUK7510-100B,127
描述 PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。STMICROELECTRONICS STP120NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.009 ohm, 10 V, 4 VTO-220AB N-CH 100V 110A
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) NXP (恩智浦)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 3 3 -
极性 N-Channel N-Channel N-CH
耗散功率 170 W 312 W 300 W
漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V
连续漏极电流(Ids) 74A 110 A 110A
输入电容(Ciss) 5605pF @25V(Vds) 5200pF @25V(Vds) 6773pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 170 W 312 W 300 W
耗散功率(Max) 170W (Tc) 312000 mW 300W (Tc)
针脚数 3 3 -
漏源极电阻 0.0097 Ω 0.009 Ω -
阈值电压 2.5 V 4 V -
上升时间 105 ns 90 ns -
下降时间 15 ns 68 ns -
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
额定电压(DC) - 100 V -
额定电流 - 120 A -
通道数 - 1 -
漏源击穿电压 - 100 V -
栅源击穿电压 - ±20.0 V -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
长度 10.67 mm 10.4 mm -
宽度 4.83 mm 4.6 mm -
高度 16.51 mm 9.15 mm -
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -