NVMFD5877NLWFT1G和NVMFD5877NLWFT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 NVMFD5877NLWFT1G NVMFD5877NLWFT3G NVMFD5877NLT1G

描述 60 V 39 M +, 17 A,双娜????通道,逻辑电平,双SO8FL 60 V, 39 m, 17 A, Dual N−Channel, Logic Level, Dual SO8FL60 V 39 M +, 17 A,双娜????通道,逻辑电平,双SO8FL 60 V, 39 m, 17 A, Dual N−Channel, Logic Level, Dual SO8FLON SEMICONDUCTOR  NVMFD5877NLT1G  Dual MOSFET, Dual N Channel, 17 A, 60 V, 0.031 ohm, 10 V, 3 V 新

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 8 8 8

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

无卤素状态 Halogen Free Halogen Free Halogen Free

极性 - N-CH Dual N-Channel

耗散功率 - 23 W 23 W

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) - 17A 17A

输入电容(Ciss) 540pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds) 540pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 3.2 W 3.2 W 3.2 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 3200 mW 3200 mW 23 W

针脚数 - - 8

漏源极电阻 39 mΩ - 0.031 Ω

阈值电压 - - 3 V

通道数 2 - -

漏源击穿电压 60 V - -

封装 DFN-8 DFN-8 DFN-8

长度 - - 6.1 mm

宽度 - - 5.1 mm

高度 - - 1.05 mm

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台