对比图
型号 IRFB3306PBF IRFZ14PBF STP80NF06
描述 N沟道,60V,160A,4.2mΩ@10V功率MOSFET Power MOSFETSTMICROELECTRONICS STP80NF06 晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 60 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) VISHAY (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
额定电压(DC) 60.0 V 60.0 V 60.0 V
额定电流 160 A 10.0 A 80.0 A
漏源极电阻 4.2 mΩ 0.2 Ω 0.0065 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 230 W 43 W 300 W
产品系列 IRFB3306 - -
输入电容 4520pF @50V - -
栅电荷 120 nC - -
漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V
连续漏极电流(Ids) 160 A 10.0 A 80.0 A
输入电容(Ciss) 4520pF @50V(Vds) 300pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 230 W 43 W 300 W
工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -65 ℃
针脚数 - 3 3
阈值电压 - 2 V 3 V
漏源击穿电压 - 60.0 V 60.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
上升时间 - 50 ns 85 ns
下降时间 - 19 ns 25 ns
耗散功率(Max) - 43 W 300W (Tc)
长度 10.67 mm 10.41 mm 10.4 mm
高度 9.02 mm 9.01 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
宽度 - 4.7 mm 4.6 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 175℃ (TJ) 175℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
最小包装 - 50 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17