BSP297L6327和FQB5N20TM

对比图

型号 BSP297L6327 FQB5N20TM PHD9NQ20T,118

描述 Mosfet n-Ch 200V 660mA Sot-223 - Bsp297 L6327Trans MOSFET N-CH 200V 4.5A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/RDPAK N-CH 200V 8.7A

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Fairchild (飞兆/仙童) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 TO-261 TO-263-3 TO-252-3

引脚数 3 - -

通道数 - - 1

极性 N-Channel N-Channel N-CH

耗散功率 1.50 W 3.13 W 88 W

漏源极电压(Vds) 200 V 200 V 200 V

连续漏极电流(Ids) 200 mA 4.50 A 8.7A

上升时间 - 55 ns 19 ns

输入电容(Ciss) 357pF @25V(Vds) 270pF @25V(Vds) 959pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 1.8 W - 88 W

下降时间 - 25 ns 15 ns

耗散功率(Max) - 3.13W (Ta), 52W (Tc) 88W (Tc)

额定电压(DC) 200 V 200 V -

额定电流 660 mA 4.50 A -

漏源极电阻 - 1.20 Ω -

漏源击穿电压 - 200 V -

栅源击穿电压 - ±30.0 V -

工作温度(Max) - 150 ℃ -

工作温度(Min) - -55 ℃ -

输入电容 45.0 pF - -

栅电荷 1.50 nC - -

宽度 - 9.65 mm 6.22 mm

封装 TO-261 TO-263-3 TO-252-3

长度 - 10.67 mm -

高度 - 4.83 mm -

工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Unknown Active

包装方式 Cut Tape (CT) Tape Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free