FDB024N06和IRFS3006PBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 FDB024N06 IRFS3006PBF PSMN004-60B,118

描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB024N06  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.5 VINFINEON  IRFS3006PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 270 A, 60 V, 0.002 ohm, 10 V, 4 VD2PAK N-CH 60V 75A

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Infineon (英飞凌) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

漏源极电阻 0.0018 Ω 0.002 Ω 0.0031 Ω

极性 N-Channel N-Channel N-Channel

耗散功率 395 W 375 W 230 W

阈值电压 3.5 V 4 V 3 V

漏源极电压(Vds) 60 V 60 V 60 V

连续漏极电流(Ids) 265A 270A 75.0 A

输入电容(Ciss) 14885pF @25V(Vds) 8970pF @50V(Vds) 8300pF @25V(Vds)

额定功率(Max) 395 W - 230 W

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 395W (Tc) 375000 mW 230W (Tc)

额定功率 - 375 W -

通道数 - 1 -

针脚数 3 3 -

输入电容 - 8970pF @50V -

上升时间 - 182 ns -

下降时间 - 189 ns -

高度 4.83 mm 4.83 mm 4.5 mm

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3

长度 10.67 mm 10.67 mm -

宽度 9.65 mm 9.65 mm -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

材质 - Silicon -

产品生命周期 Active Active Active

包装方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17

REACH SVHC标准 No SVHC - -

ECCN代码 - EAR99 -

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