KSE182STU和MJE182STU

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 KSE182STU MJE182STU MJE182G

描述 Trans GP BJT NPN 80V 3A 3Pin TO-126 RailNPN 晶体管,Fairchild Semiconductor### 双极晶体管,Fairchild Semiconductor双极性结点晶体管 (BJT) 板系列提供完整的解决方案,用于满足各种电路应用需求。 创新的封装设计用于提供最小尺寸、最高可靠性和最大热性能。ON SEMICONDUCTOR  MJE182G  单晶体管 双极, NPN, 80 V, 50 MHz, 1.5 W, 3 A, 12 hFE 新

数据手册 ---

制造商 Fairchild (飞兆/仙童) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 - 3 3

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 - 50 MHz 50 MHz

额定电压(DC) 80.0 V 80.0 V 80.0 V

额定电流 3.00 A 3.00 A 3.00 A

针脚数 - 3 3

极性 NPN NPN NPN

耗散功率 - 12.5 W 1.5 W

击穿电压(集电极-发射极) 80 V 80 V 80 V

热阻 - - 10℃/W (RθJC)

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 1.5 W

直流电流增益(hFE) - 12 50

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - -65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - 12.5 W 12500 mW

最大电流放大倍数(hFE) - 250 -

长度 - 8 mm 7.8 mm

宽度 - 3.25 mm 3 mm

高度 - 11 mm 11.1 mm

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

材质 - - Silicon

工作温度 - 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tube Tube Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC版本 - 2015/06/15 2015/12/17

ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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