对比图
型号 IPP80N06S2LH5AKSA1 IPP80N06S2LH5AKSA2 STP80NF55-08
描述 TO-220 N-CH 55V 80AN-CH 55V 80ASTMICROELECTRONICS STP80NF55-08 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 8 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
引脚数 - 3 3
极性 N-CH N-CH N-Channel
耗散功率 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W
漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V
连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A
输入电容(Ciss) 5000pF @25V(Vds) 5000pF @25V(Vds) 3850pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 300W (Tc) 300W (Tc) 300 W
通道数 - 1 -
上升时间 - 23 ns 110 ns
下降时间 - 22 ns 35 ns
工作温度(Max) - 175 ℃ 175 ℃
工作温度(Min) - -55 ℃ -55 ℃
额定电压(DC) - - 55.0 V
额定电流 - - 80.0 A
针脚数 - - 3
漏源极电阻 - - 0.008 Ω
阈值电压 - - 3 V
漏源击穿电压 - - 55.0 V
栅源击穿电压 - - ±20.0 V
额定功率(Max) - - 300 W
封装 TO-220-3-1 TO-220-3 TO-220-3
长度 - 10 mm 10.4 mm
宽度 - 4.4 mm 4.6 mm
高度 - 15.65 mm 15.75 mm
工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key Active Active
包装方式 - Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17