BZX79-C6V2和PBHV8540T,215

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BZX79-C6V2 PBHV8540T,215 1N5233B

描述 NXP  BZX79-C6V2  单管二极管 齐纳, 6.2 V, 500 mW, DO-35, 5 %, 2 引脚, 200 °CNXP  PBHV8540T,215  单晶体管 双极, NPN, 400 V, 30 MHz, 300 mW, 500 mA, 200 hFEFAIRCHILD SEMICONDUCTOR  1N5233B.  齐纳二极管

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) Fairchild (飞兆/仙童)

分类 齐纳二极管双极性晶体管齐纳二极管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Through Hole

引脚数 2 3 2

封装 DO-35 SOT-23-3 DO-35-2

针脚数 2 3 2

耗散功率 500 mW 300 mW 500 mW

测试电流 5 mA - 20 mA

稳压值 6.2 V - 6 V

工作温度(Max) 200 ℃ 150 ℃ 200 ℃

工作温度(Min) -65 ℃ -55 ℃ -65 ℃

额定电压(DC) - - 6.00 V

容差 - - ±5 %

额定功率 - - 500 mW

击穿电压 - - 6 V

正向电压 - - 1.2V @200mA

正向电压(Max) - - 1.2V @200mA

额定功率(Max) - 300 mW 500 mW

耗散功率(Max) - - 500 mW

频率 - 30 MHz -

极性 - NPN -

击穿电压(集电极-发射极) - 400 V -

集电极最大允许电流 - 0.5A -

最小电流放大倍数(hFE) - 10 @300mA, 10V -

最大电流放大倍数(hFE) - 100 @50mA, 10V -

直流电流增益(hFE) - 200 -

封装 DO-35 SOT-23-3 DO-35-2

长度 - - 4.56 mm

宽度 - - 1.91 mm

高度 - - 1.91 mm

工作温度 -65℃ ~ 200℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 200℃

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Each Tape & Reel (TR) Bulk

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17 2015/12/17 2015/06/15

ECCN代码 - - EAR99

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