IPP80N06S2L-07和IPP80N06S2L07AKSA2

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IPP80N06S2L-07 IPP80N06S2L07AKSA2 SPP80N06S2L-07

描述 INFINEON  IPP80N06S2L-07  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 7 mohm, 10 V, 1.6 V晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 0.0056 ohm, 10 V, 1.6 V的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 3 3

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-1

针脚数 3 3 -

漏源极电阻 7 mΩ 0.0056 Ω -

极性 N-Channel N-CH N-Channel

耗散功率 210 W 210 W 210W (Tc)

阈值电压 1.6 V 1.6 V -

漏源极电压(Vds) 55 V 55 V 55 V

连续漏极电流(Ids) 80A 80A 80.0 A

上升时间 35 ns 35 ns 35 ns

输入电容(Ciss) 3160pF @25V(Vds) 3160pF @25V(Vds) 4210pF @25V(Vds)

下降时间 31 ns 31 ns 31 ns

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ 175 ℃

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) 210W (Tc) 210W (Tc) 210W (Tc)

额定电压(DC) - - 55.0 V

额定电流 - - 80.0 A

输入电容 - - 4.21 nF

栅电荷 - - 130 nC

通道数 1 - -

漏源击穿电压 55 V - -

额定功率(Max) 210 W - -

长度 10 mm 10 mm -

宽度 4.4 mm 4.4 mm -

高度 9.25 mm 15.65 mm -

封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3-1

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ)

产品生命周期 Obsolete Active Obsolete

包装方式 Tube Tube Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free 无铅 Contains Lead

REACH SVHC标准 No SVHC - -

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

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