MJE171G和MJE171STU

对比图

型号 MJE171G MJE171STU MJE171

描述 ON SEMICONDUCTOR  MJE171G  晶体管 双极-射频, PNP, -60 V, 50 MHz, 1.5 W, -3 A, 12 hFE 新Trans GP BJT PNP 60V 3A 3Pin(3+Tab) TO-126 Rail塑料互补硅功率晶体管40 - 60 - 80伏12.5沃茨 Complementary Plastic Silicon Power Transistors 40 − 60 − 80 VOLTS 12.5 WATTS

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) Fairchild (飞兆/仙童) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 3 - -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

频率 50 MHz - -

额定电压(DC) -60.0 V -60.0 V -60.0 V

额定电流 -3.00 A -3.00 A -3.00 A

针脚数 3 - -

极性 PNP, P-Channel PNP PNP

耗散功率 1.5 W 12.5 W 105 W

击穿电压(集电极-发射极) 60 V 60 V 60 V

热阻 10℃/W (RθJC) - -

集电极最大允许电流 3A 3A 3A

最小电流放大倍数(hFE) 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V 50 @100mA, 1V

额定功率(Max) 1.5 W 1.5 W 12.5 W

直流电流增益(hFE) 50 - -

工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -

工作温度(Min) -65 ℃ 65 ℃ -

工作结温 -65℃ ~ 150℃ - -

耗散功率(Max) 12500 mW - -

最大电流放大倍数(hFE) - 250 250

增益频宽积 - 50 MHz -

长度 7.8 mm 8 mm -

封装 TO-126-3 TO-126-3 TO-126-3

宽度 - 3.25 mm -

高度 - 11 mm -

材质 Silicon - -

工作温度 -65℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ) -65℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Active Unknown Unknown

包装方式 Bulk Tube Bulk

最小包装 - - 500

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

REACH SVHC版本 2015/12/17 - -

ECCN代码 EAR99 EAR99 -