PHP143NQ04T和PSMN4R0-40YS

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 PHP143NQ04T PSMN4R0-40YS PH4840S,115

描述 N沟道的TrenchMOS标准水平FET N-channel TrenchMOS standard level FETNXP  PSMN4R0-40YS  晶体管, MOSFET, N沟道, 100 A, 40 V, 3.2 mohm, 10 V, 3 VTrans MOSFET N-CH 40V 94.5A 5Pin(4+Tab) LFPAK T/R

数据手册 ---

制造商 NXP (恩智浦) NXP (恩智浦) NXP (恩智浦)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Through Hole Surface Mount Surface Mount

引脚数 - 4 -

封装 TO-220-3 SOT-669 SOT-669

针脚数 - 4 -

漏源极电阻 - 3.2 mΩ -

极性 - N-Channel N-Channel

耗散功率 200 W 106 W 62.5 W

阈值电压 - 3 V -

漏源极电压(Vds) 40.0 V 40 V 40 V

连续漏极电流(Ids) 75.0 A 100A 94.5 A

输入电容(Ciss) - 2410pF @20V(Vds) 3660pF @10V(Vds)

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) - 106 W 62.5W (Tc)

额定电压(DC) 40.0 V - -

额定电流 75.0 A - -

输入电容 2.84 nF - -

栅电荷 52.0 nC - -

上升时间 51 ns - 35 ns

下降时间 56 ns - 31 ns

额定功率(Max) - - 62.5 W

长度 10.3 mm 5 mm -

宽度 4.7 mm 4.1 mm -

高度 9.4 mm 1.1 mm -

封装 TO-220-3 SOT-669 SOT-669

工作温度 - -55℃ ~ 175℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ)

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 Tube Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 RoHS Compliant Exempt RoHS Compliant

REACH SVHC标准 - No SVHC -

REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -

含铅标准 Lead Free - Lead Free

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