对比图
型号 IRF7807D2TRPBF STS11NF30L IRF7807D1TRPBF
描述 Trans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC T/RN 通道 STripFET™ F3，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 30V 8.3A 8Pin SOIC T/R
数据手册 ---
制造商 International Rectifier (国际整流器) ST Microelectronics (意法半导体) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
额定电压(DC) 30.0 V 30.0 V 30.0 V
额定电流 8.30 A 11.0 A 8.30 A
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
产品系列 IRF7807D2 - IRF7807D1
漏源极电压(Vds) 30 V 30 V 30 V
连续漏极电流(Ids) 8.30 A 11.0 A 8.30 A
额定功率(Max) 2.5 W 2.5 W 2.5 W
额定功率 - 2.5 W -
漏源极电阻 - 0.0085 Ω -
耗散功率 2.5 W 2.5 W -
阈值电压 - 1 V -
漏源击穿电压 - 30.0 V -
栅源击穿电压 - ±18.0 V -
上升时间 - 39 ns -
输入电容(Ciss) - 1440pF @25V(Vds) -
下降时间 - 16 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
耗散功率(Max) - 2500 mW -
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
长度 - 5 mm -
宽度 - 4 mm -
高度 - 1.25 mm -
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -