对比图
型号 IRF840ASTRLPBF SPB04N60C3 IRF840ASTRL
描述 MOSFET N-CH 500V 8A D2PAKINFINEON SPB04N60C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 600 V, 0.85 ohm, 10 V, 3 VMOSFET N-CH 500V 8A D2PAK
数据手册 ---
制造商 Vishay Siliconix Infineon (英飞凌) Vishay Siliconix
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
引脚数 - 3 -
耗散功率 3.1W (Ta), 125W (Tc) 50 W 3.1W (Ta), 125W (Tc)
漏源极电压(Vds) 500 V 650 V 500 V
输入电容(Ciss) 1018pF @25V(Vds) 490pF @25V(Vds) 1018pF @25V(Vds)
耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 125W (Tc) 50W (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc)
额定电压(DC) - 650 V -
额定电流 - 4.50 A -
通道数 - 1 -
针脚数 - 3 -
漏源极电阻 - 0.85 Ω -
极性 - N-Channel -
阈值电压 - 3 V -
连续漏极电流(Ids) - 4.50 A -
上升时间 - 2.5 ns -
额定功率(Max) - 50 W -
下降时间 - 9.5 ns -
工作温度(Max) - 150 ℃ -
工作温度(Min) - -55 ℃ -
长度 10.67 mm 10.31 mm -
宽度 9.65 mm 9.25 mm -
高度 4.83 mm 4.57 mm -
封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Active Obsolete
包装方式 - Tape & Reel (TR) -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 - No SVHC -
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -