DS1225AB-85和DS1225AB-70+

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 DS1225AB-85 DS1225AB-70+ BQ4010YMA-85N

描述 IC NVSRAM 64Kbit 85NS 28DIPNon-Volatile SRAM Module, 8KX8, 70ns, CMOS, PDIP28, 0.72INCH, ROHS COMPLIANT, EDIP-28为8K ×8非易失性SRAM ( 5 V , 3.3 V ) 8 k x 8 NONVOLATILE SRAM (5 V, 3.3 V)

数据手册 ---

制造商 Maxim Integrated (美信) Maxim Integrated (美信) TI (德州仪器)

分类 RAM芯片存储芯片存储芯片

基础参数对比

安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole

引脚数 28 - 28

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

电源电压(DC) 5.00 V, 5.25 V (max) - 5.00 V

供电电流 - - 50 mA

存取时间 85 ns 70 ns 85 ns

存取时间(Max) - - 85 ns

工作温度(Max) 70 ℃ - 85 ℃

工作温度(Min) 0 ℃ - -40 ℃

电源电压 4.75V ~ 5.25V 4.75V ~ 5.25V 4.5V ~ 5.5V

电源电压(Max) 5.25 V - 5.5 V

电源电压(Min) 4.75 V - 4.5 V

时钟频率 85.0 GHz - -

内存容量 64000 B - -

封装 DIP-28 DIP-28 DIP-28

长度 39.12 mm - -

宽度 18.29 mm - -

高度 9.4 mm - -

工作温度 0℃ ~ 70℃ (TA) 0℃ ~ 70℃ (TA) -40℃ ~ 85℃ (TA)

产品生命周期 Unknown Unknown Obsolete

包装方式 Tube Tube, Rail Tube

RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead

ECCN代码 - - EAR99

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台