对比图
型号 FQD6N40CTM STD3NK60ZT4 STD5NK40ZT4
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQD6N40CTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 0.83 ohm, 10 V, 2 VSTMICROELECTRONICS STD3NK60ZT4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.4 A, 600 V, 3.3 ohm, 10 V, 3.75 VSTMICROELECTRONICS STD5NK40ZT4 晶体管, MOSFET, N沟道, 3 A, 400 V, 1.47 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 3 3 3
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
额定电压(DC) 400 V 600 V 400 V
额定电流 4.50 A 2.40 A 3.00 A
额定功率 - - 45 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.83 Ω 3.3 Ω 1.47 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 48 W 45 W 45 W
阈值电压 2 V 3.75 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 400 V 600 V 400 V
漏源击穿电压 400 V 600 V 400 V
栅源击穿电压 ±30.0 V ±30.0 V ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 4.50 A 2.40 A 3.00 A
上升时间 65 ns 14 ns 6 ns
输入电容(Ciss) 625pF @25V(Vds) 311pF @25V(Vds) 305pF @25V(Vds)
额定功率(Max) 2.5 W 45 W 45 W
下降时间 38 ns 14 ns 11 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 2.5W (Ta), 48W (Tc) 45W (Tc) 45W (Tc)
长度 6.6 mm 6.6 mm 6.6 mm
宽度 6.1 mm 6.2 mm 6.2 mm
高度 2.3 mm 2.4 mm 2.4 mm
封装 TO-252-3 TO-252-3 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Active Active Active
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99