对比图
型号 FDP75N08A IRF2807ZPBF IRF2807Z
描述 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP75N08A 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 75 V, 11 mohm, 10 V, 4 VMOSFET, Power; N-Ch; VDSS 75V; RDS(ON) 7.5Milliohms; ID 89A; TO-220AB; PD 170W; -55degTrans MOSFET N-CH 75V 89A 3Pin (3+Tab) TO-220AB
数据手册 ---
制造商 Fairchild (飞兆/仙童) International Rectifier (国际整流器) International Rectifier (国际整流器)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
额定电压(DC) 75.0 V 75.0 V 75.0 V
额定电流 75.0 A 75.0 A 75.0 A
漏源极电阻 11 mΩ 9.4 mΩ 7.50 MΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 137 W 170 W 170 W
产品系列 - IRF2807Z IRF2807Z
阈值电压 4 V 4 V -
输入电容 4.47 nF 3270pF @25V -
漏源极电压(Vds) 75 V 75 V 75.0 V
漏源击穿电压 75 V 75 V 75.0V (min)
连续漏极电流(Ids) 75.0 A 75.0 A 75.0 A
上升时间 212 ns 79.0 ns 79.0 ns
输入电容(Ciss) 4468pF @25V(Vds) 3270pF @25V(Vds) -
额定功率(Max) 137 W 170 W -
工作温度(Max) 150 ℃ 175 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
通道数 1 - -
针脚数 3 - -
栅电荷 104 nC - -
下降时间 147 ns - -
耗散功率(Max) 137W (Tc) - -
长度 10.67 mm 10.67 mm -
高度 9.4 mm 9.02 mm -
封装 TO-220-3 TO-220-3 TO-220
宽度 4.83 mm - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ -
产品生命周期 Active Active End of Life
包装方式 Tube Rail, Tube Bulk
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant Non-Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Contains Lead
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC -
REACH SVHC版本 2015/06/15 2014/12/17 -
ECCN代码 EAR99 - -