对比图
型号 IXGH32N60B IXGH36N60B3 STGW35HF60WD
描述 IGBT 晶体管 60 Amps 600V 2.3 RdsIXGH36N60B 600 V 36 A GenX3 IGBT 晶体管 - TO-247IGBT 分立，STMicroelectronics### IGBT 分立件和模块，STMicroelectronics绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体)
分类 IGBT晶体管IGBT晶体管IGBT晶体管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 600 V - -
额定电流 60.0 A - -
额定功率 200 W - -
耗散功率 200000 mW 250000 mW 200 W
上升时间 20.0 ns - -
击穿电压(集电极-发射极) 600 V 600 V 600 V
额定功率(Max) 200 W 250 W 200 W
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 200000 mW 250000 mW 200 W
针脚数 - - 3
反向恢复时间 - - 50 ns
长度 16.26 mm - 15.75 mm
宽度 5.3 mm - 5.15 mm
高度 21.46 mm - 24.45 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Bulk Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
ECCN代码 - - EAR99