BLF0810S-180和PD57070S

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 BLF0810S-180 PD57070S PD57070-E

描述 Base station LDMOS transistorsRF功率晶体管的LDMOST塑料系列 RF POWER TRANSISTORS The LdmoST Plastic FAMILYRF功率晶体管, LDMOST塑料系列N沟道增强模式横向的MOSFET RF POWER Transistors, LDMOST plastic family N-Channel enhancement-mode lateral MOSFETs

数据手册 ---

制造商 Philips (飞利浦) ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)

分类 晶体管晶体管

基础参数对比

安装方式 - Surface Mount Surface Mount

引脚数 - - 3

封装 - PowerSO-10RF PowerSO-10RF

频率 - 945 MHz 945 MHz

耗散功率 - 95 W 95000 mW

输出功率 - 70 W 70 W

增益 - 14.7 dB 14.7 dB

测试电流 - 250 mA 250 mA

输入电容(Ciss) - - 91pF @28V(Vds)

工作温度(Max) - 150 ℃ 165 ℃

工作温度(Min) - 65 ℃ -65 ℃

耗散功率(Max) - - 95000 mW

额定电压 - 65 V 65 V

极性 - N-Channel -

漏源击穿电压 - 65 V -

栅源击穿电压 - ±20.0 V -

连续漏极电流(Ids) - 7.00 A -

封装 - PowerSO-10RF PowerSO-10RF

长度 - 7.5 mm -

宽度 - 9.4 mm -

高度 - 3.5 mm -

工作温度 - - -65℃ ~ 165℃

产品生命周期 Unknown Unknown Active

包装方式 - Tube Tube

RoHS标准 - RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 - Lead Free Lead Free

ECCN代码 - - EAR99

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