MMBT6517LT3和MMBT6517LT3G

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 MMBT6517LT3 MMBT6517LT3G MMBT6517LT1G

描述 SOT-23 NPN 350V 0.1A高压晶体管 High Voltage TransistorON SEMICONDUCTOR  MMBT6517LT1G  单晶体管 双极, 通用, NPN, 350 V, 200 MHz, 225 mW, 100 mA, 15 hFE

数据手册 ---

制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)

分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

引脚数 - 3 3

额定电压(DC) 350 V 350 V 350 V

额定电流 500 mA 500 mA 500 mA

极性 NPN NPN NPN

击穿电压(集电极-发射极) 350 V 350 V 350 V

集电极最大允许电流 0.1A 0.1A 0.1A

最小电流放大倍数(hFE) 20 @50mA, 10V 20 @50mA, 10V 20 @50mA, 10V

额定功率(Max) 225 mW 225 mW 225 mW

频率 - 200 MHz 200 MHz

针脚数 - - 3

耗散功率 - 225 mW 225 mW

直流电流增益(hFE) - - 15

工作温度(Max) - 150 ℃ 150 ℃

工作温度(Min) - 55 ℃ -55 ℃

耗散功率(Max) - 300 mW 225 mW

增益频宽积 - 200 MHz -

封装 SOT-23-3 SOT-23-3 SOT-23-3

长度 - 2.9 mm 3.04 mm

宽度 - 1.3 mm 1.3 mm

高度 - 0.94 mm 1.11 mm

工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)

材质 - Silicon Silicon

产品生命周期 Unknown Active Active

包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free

REACH SVHC标准 - - No SVHC

REACH SVHC版本 - - 2015/12/17

ECCN代码 - EAR99 EAR99

香港进出口证 - - NLR

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