对比图
描述 TO-220AB N-CH 500V 5AN沟道600V - 1欧姆 - 6A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET N-CHANNEL 600V - 1ohm - 6A TO-220/TO-220FP/I2PAK PowerMESH⑩II MOSFET2SK893
数据手册 ---
制造商 Toshiba (东芝) ST Microelectronics (意法半导体) Toshiba (东芝)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole -
封装 TO-220 TO-220-3 -
极性 N-CH N-CH -
耗散功率 - 125W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 500 V 600 V -
连续漏极电流(Ids) 5A 6A -
输入电容(Ciss) - 1020pF @25V(Vds) -
耗散功率(Max) - 125W (Tc) -
封装 TO-220 TO-220-3 -
工作温度 - 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Obsolete Unknown Obsolete
包装方式 Tube, Rail Tube -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 - Lead Free Lead Free