对比图
型号 MBT35200MT1G NSS35200MR6T1G MBT35200MT2G
描述 PNP 晶体管，超过 1A，On Semiconductor### 标准Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.### 双极性晶体管，On SemiconductorON Semiconductor 的各种双极晶体管，包括以下类别：小信号晶体管 通用晶体管 双 NPN 和 PNP 晶体管 功率晶体管 高电压晶体管 射频双极晶体管 低噪声，双匹配和复杂的双极晶体管35 V ， 5 A ，低VCE （ sat）的PNP晶体管 35 V, 5 A, Low VCE(sat) PNP TransistorTSOP PNP 35V 2A
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 双极性晶体管双极性晶体管双极性晶体管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 6 6 -
封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
频率 100 MHz 100 MHz -
额定电压(DC) -35.0 V -35.0 V -
额定电流 -2.00 A -2.00 A -
无卤素状态 Halogen Free Halogen Free -
极性 PNP, P-Channel PNP PNP
耗散功率 625 mW 1 W -
增益频宽积 100 MHz - -
击穿电压(集电极-发射极) 35 V 35 V 35 V
集电极最大允许电流 2A 2A 2A
最小电流放大倍数(hFE) 100 @1.5A, 1.5V 100 @1.5A, 1.5V 100 @1.5A, 1.5V
额定功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
直流电流增益(hFE) 100 - -
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ -
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -
耗散功率(Max) 1000 mW 1000 mW -
最大电流放大倍数(hFE) - 400 100 @1A, 1.5V
长度 3.1 mm - -
宽度 1.7 mm 1.5 mm -
高度 1 mm - -
封装 SOT-23-6 SOT-23-6 SOT-23-6
材质 Silicon - -
工作温度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Active Unknown
包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
最小包装 - 3000 -
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC - -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99