MBT35200MT2G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MBT35200MT2G概述

TSOP PNP 35V 2A

Bipolar BJT Transistor PNP 35V 2A 100MHz 625mW Surface Mount 6-TSOP

得捷:
TRANS PNP 35V 2A 6TSOP

艾睿:
Trans GP BJT PNP 35V 2A 6-Pin TSOP T/R

MBT35200MT2G中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

击穿电压集电极-发射极 35 V

集电极最大允许电流 2A

最小电流放大倍数hFE 100 @1.5A, 1.5V

最大电流放大倍数hFE 100 @1A, 1.5V

额定功率Max 625 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOT-23-6

外形尺寸

封装 SOT-23-6

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MBT35200MT2G

描述：TSOP PNP 35V 2A

替代型号MBT35200MT2G