对比图
型号 2N6766 JAN2N6766 IRF250
描述 Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3每N沟道MOSFET合格MIL -PRF-五百四十三分之一万九千五百 N-CHANNEL MOSFET Qualified per MIL-PRF-19500/543Trans MOSFET N-CH 200V 30A 3Pin(2+Tab) TO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Microsemi (美高森美) Semelab
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 - Through Hole Through Hole
封装 TO-204 TO-3 TO-204
引脚数 2 - 3
极性 - N-CH -
耗散功率 150 W 4W (Ta), 150W (Tc) -
漏源极电压(Vds) 200 V 200 V -
连续漏极电流(Ids) - 30A -
耗散功率(Max) - 4W (Ta), 150W (Tc) 150000 mW
输入电容(Ciss) - - 3500pF @25V(Vds)
工作温度(Max) 150 ℃ - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
漏源极电阻 0.085 Ω - -
阈值电压 2 V - -
封装 TO-204 TO-3 TO-204
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -
产品生命周期 Active Obsolete Not Recommended
包装方式 - Bulk -
RoHS标准 Non-Compliant Non-Compliant Non-Compliant
含铅标准 - Contains Lead -
REACH SVHC版本 2015/12/17 - -