对比图
型号 NTJD4401NT2 NTJD4401NT4 NTJD4401NT1G
描述 小信号MOSFET 20 V ，双N沟道， SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD Protection小信号MOSFET 20 V ，双N沟道， SC -88 ESD保护 Small Signal MOSFET 20 V, Dual N-Channel, SC-88 ESD ProtectionON SEMICONDUCTOR NTJD4401NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 630 mA, 20 V, 0.29 ohm, 4.5 V, 920 mV
数据手册 ---
制造商 ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美) ON Semiconductor (安森美)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 - - 6
封装 SOT-363 SOT-363 SC-70-6
额定电压(DC) 20.0 V 20.0 V 20.0 V
额定电流 775 mA 775 mA 630 mA
通道数 - - 2
针脚数 - - 6
漏源极电阻 510 mΩ 510 mΩ 0.29 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel, Dual N-Channel
耗散功率 270 mW 270 mW 270 mW
阈值电压 - - 920 mV
输入电容 46.0 pF 46.0 pF 33pF @20V
漏源极电压(Vds) - 20 V 20 V
漏源击穿电压 20.0 V 20.0 V 27 V
栅源击穿电压 ±12.0 V ±12.0 V ±12.0 V
连续漏极电流(Ids) 630 mA 630 mA 630 mA
上升时间 - - 227 ns
反向恢复时间 - - 410 ns
正向电压(Max) - - 1.1 V
输入电容(Ciss) - 46pF @20V(Vds) 46pF @20V(Vds)
额定功率(Max) - 270 mW 270 mW
下降时间 - - 506 ns
工作温度(Max) - - 150 ℃
工作温度(Min) - - -55 ℃
工作结温 - - -55℃ ~ 150℃
耗散功率(Max) - - 550 mW
栅电荷 3.00 nC 3.00 nC -
长度 - - 2.2 mm
宽度 - - 1.35 mm
高度 - - 1 mm
封装 SOT-363 SOT-363 SC-70-6
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Unknown Unknown Active
包装方式 Tape Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Contains Lead Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
REACH SVHC版本 - - 2015/12/17
ECCN代码 - - EAR99