对比图
描述 N沟道650V TJMAX - 0.9ohm -8A TO- 220 / FP / D / IPAK / D2PAK的STripFET II MOSFET N-CHANNEL 650V Tjmax-0.9ohm-8A TO-220/FP/D/IPAK/D2PAK STripFET II MOSFETSTMICROELECTRONICS STD5NM60T4 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5 A, 650 V, 1 ohm, 10 V, 4 V
数据手册 --
制造商 ST Microelectronics (意法半导体) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 MOS管MOS管
安装方式 Surface Mount Surface Mount
封装 DPAK TO-252-3
引脚数 - 3
极性 N-CH N-Channel
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V
连续漏极电流(Ids) 5A 5.00 A
额定电压(DC) - 600 V
额定电流 - 5.00 A
额定功率 - 96 W
通道数 - 1
针脚数 - 3
漏源极电阻 - 1 Ω
耗散功率 - 96 W
阈值电压 - 4 V
漏源击穿电压 - 600 V
栅源击穿电压 - ±30.0 V
上升时间 - 10 ns
输入电容(Ciss) - 400pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 96 W
下降时间 - 10 ns
工作温度(Max) - 150 ℃
工作温度(Min) - 55 ℃
耗散功率(Max) - 96W (Tc)
封装 DPAK TO-252-3
长度 - 6.6 mm
宽度 - 6.2 mm
高度 - 2.4 mm
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 - Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - No SVHC
REACH SVHC版本 - 2015/12/17
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ (TJ)
ECCN代码 - EAR99